Универсальная теория фликкер-шума

Рассматриваемый в данной работе инжекционный полупроводниковый прибор (ИПЛ) представляет собой грубую колебательную систему, описыва дую системой двух дифференциальных уравнений первого порядка. После приведения системы скоростных, описывающих полупроводниковый Ga-As-лазер к каноническому найдены. На основании анализа поведения, были определены диапазоны изменения параметров и  соответствуют различным состояниям колебательной системы ИПЛ. Универсальная теория фликкер-шума носит название теории критичности. Её цель — найти объяснение природы флуктуации со спектром типа 1/f8 в любых сложных интерактивных системах.

Исследовано стационарное состояние модели (критическое). Выявлено, что фликкер — это регуляторные флуктуации исследуемой модели. Однако для интерпретации медицинских данных этого недостаточно.

Эти модели позволят глубже понять природу заболеваний. Флуктуационные процессы потенциально являются источником опережающей, превентивной информации о состоянии регуляторных систем организма, в частности сердечно-сосудистой системы. Снижение устойчивости тех или иных функциональных звеньев в первую очередь влечёт за собой изменение вероятностных характеристик флуктуации и спектра мощности флуктуации, которое может быть выявлено даже тогда, когда другие, более очевидные признаки нарушенной стабильности исследуемой динамической системы ещё не проявились.

С развитием силовой полупроводниковой техники в различных отраслях было найдено широкое применение силовые преобразователи электрической чкргии на основе силовых тиристоров (СТ). Качество изготовления и нали ость СТ в значительной степени определяют эффективность работы преобразователей на их же основе. В СТ при включении наблюдается эффект локализации включенного достояния в области первоначального его включения (ОПВ), формируемой вблизи управляющего электрода. В связи с небольшими размерами площади  включения (ППВ) и ограниченной скоростью распространения ОПВ по площади тиристорной структуры (ТС) при высоких значениях скорости нарастания тока в открытом состоянии dj/dt, в ОПВ возникают большие электрические потери, что обуславливает ее значительный разогрев. B СТ одного типа варьируется в больших пределах из-за различных технологических дефектов, возникающих в области управления ТС.

Критическое значение скорости нарастания (d/dt)crt в открытом состоянии является одним из основных предельных динамических параметров СТ И зависит от площади первоначального включения (ППВ). Методика определения этого параметра, используемая в промышленности, не обеспечивает объективной оценки его настоящей величины, поэтому реальные возможности приборов остаются неясными. Причиной этого является то, что при определении группы (d/dt)*crt конкретного типа СТ осуществляется однократно на основе результатов разрушающих выборочных испытаний парши приборов при повышенных значениях dj/dt. При этом за величину (H/dt)crt принимается взятое с некоторым запасом минимальное из зафиксированных значений d/d, при которых произошло разрушение. Это обусловливает занижение возможностей СТ, что ведет к повышению массогабаритных, стоимостных и других показателей преобразователей на их основе.

Результаты теоретического моделирования процесса включения СТ и экспериментальные результаты испытаний, и проверки надежности позволили разработать методику определения критической скорости нарастания, в основе которой лежит принцип измерения ППВ конкретного СТ. Это позволяет проводить диагностику формирования ОПВ.  Данная методика легла в основу специальной диагностической аппаратуры, применение которой позволяет отбраковывать потенциально ненадежные СТ с пониженной ППВ, а, соответственно, стойкостью для заданных режимов работы преобразователей.

Комментарии закрыты.